在Si上的离化团束外延Ge

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:thomas012
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用离子团束法来外延半导体材料是低温外延的一种可能途径.所谓离化团束外延(ICBE),其特点是在薄膜的外延过程中,引入了一定数量的具有一定能量的离子.在ICBE情况下,外延材料在喷射炉中被加热成零点几个托到 10~(-2)托的蒸气喷入10~(-5)托左 The epitaxial growth of semiconductor materials by ion cluster method is one possible way of low-temperature epitaxy. The so-called ion beam epitaxy (ICBE) is characterized by the introduction of a certain amount of ions with certain energy during the epitaxial process of the films. In the case of ICBE, the epitaxial material is heated in a blast furnace to a few torques of 10 -2 Torr and sprayed into the 10-5 torches
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