【摘 要】
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报道了一种基于InGaNAs/GaAs多量子阱的1.3μmGaAs基“一镜斜置三镜腔”光探测器,采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上直接生长高质量的GaAl/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)和In
【机 构】
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北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,中科院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,
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报道了一种基于InGaNAs/GaAs多量子阱的1.3μmGaAs基“一镜斜置三镜腔”光探测器,采用分子束外延(MBE)技术在GaAs衬底上直接生长高质量的GaAl/AlAs分布布拉格反射镜(DBR)和InGaNAs/GaAs多量子阱吸收层,实现了单片集成的GaAs基长波长“一镜斜置三镜腔”光探测器。探测器的峰值响应波长位于1298.4nm,光谱响应线宽(FWHM)为1.0nm,量子效率为3%,在零偏压下其暗电流密度为3.75×10-13A/μm2。
A 1.3μm GaAs-based “one-mirror inclined three-cavity” photodetector based on InGaNAs / GaAs multiple quantum wells is reported. By means of molecular beam epitaxy (MBE), a high quality GaAl / AlAs distributed Bragg reflector (DBR) and InGaNAs / GaAs multiple quantum well absorber layer, a monolithically integrated GaAs-based long wavelength “one-mirror oblique three-cavity” photodetector is implemented. The detector has a peak response wavelength of 1298.4 nm, a spectral response line width (FWHM) of 1.0 nm and a quantum efficiency of 3%. Its dark current density is 3.75 × 10 -13 A / μm 2 at zero bias.
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