电子俘获光存储材料BaLiF3：Eu^2＋的光激励发光及光存储性质研究

• 作 者: 王欣姿 王永生 孙力 徐征
• 机 构: 发光与光信息技术教育部重点实验室
• 出 处: 光谱学与光谱分析
• 发表日期: 2006年3期
• 关键词: 电子俘获 光激励发光 光存储 Electron trapping Photostimulated luminescence Optical storage

利用高温固相反应法制备了混晶状的BaLiF3：Eu^2＋样品。其紫外光激发的发射峰与光激励发光峰均在410nm处，属于Eu^2＋的5d-4f跃迁发光。光激励峰位于660nm，因而可以配用简单廉价的氦氖激光器。根据光谱特征给出了光激励发光的简单机理。测量了该材料光激励发光衰减性能，结果表明BaLiF3：Eu^2＋存储的信息可以方便地擦除掉。该材料具有优良的光激励发光特性，是一类很有发展前途的电子俘获光存储材料。