新照明系统的高分辨率光刻——采用斜入射照明和瞳面滤波器的投影曝光法

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1前言目前半导体IC中的最小特征尺寸已与光刻用的光波长非常接近,根据公式R=K1λ/NA,要使加工尺寸进一步微细化,必须使波长再缩短,或者使光学透镜的数值孔径NA增大,或提高抗蚀剂的性能。过去曾把增大NA作为提高分辨率的主要方向,但根据DOF=K2λ... 1 Introduction At present, the smallest feature size in semiconductor ICs is very close to the wavelength of light for lithography. To further miniaturize the processing size according to the formula R = K1λ / NA, the wavelength must be shortened or the numerical aperture NA increases, or improve resist performance. In the past to increase NA as the main direction to improve the resolution, but according to DOF = K2λ ...
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