总剂量辐照加固的PDSOI CMOS 3线-8线译码器(英文)

• 作 者: 刘梦新 韩郑生 李多力 刘刚 赵超荣 赵发展
• 机 构: 中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所 北京100029,北京100029,北京100029,北
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2008年06期
• 关键词: PDSOI CMOS 3 部分耗尽SOI 译码器 加固 剂量辐照 泄漏电流 阈值电压 总剂量 特性曲线 沟道

报道了一种制作在SIMOX晶圆之上的总计量加固的2μm部分耗尽SOI CMOS 3线—8线译码器电路,其辐照特性由晶体管的阈值电压、电路的静态泄漏电流以及电流电压特性曲线表征.实验表明,该译码器的抗总剂量能力达3×105rad(Si) ,nMOS管和pMOS管在最坏情况下前栅沟道阈值漂移分别小于20和70mV,并且在辐照、退火以及后续追加辐照过程中无明显的泄漏电流增加,电路的功能并未退化.

A total metered 2μm partially depleted SOI CMOS 3-to-8-line decoder circuit fabricated on a SIMOX wafer is reported whose radiation characteristics are determined by the threshold voltage of the transistor, the static leakage current of the circuit, and the current-voltage The experimental results show that the anti-total dose capability of the decoder reaches 3 × 105 rad (Si), the threshold drift of the nMOS and pMOS transistors is less than 20 and 70 mV respectively in the worst case, , Annealing and follow-up additional irradiation without significant leakage current increases, the function of the circuit did not degrade.