【摘 要】
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低热膨胀系数的钴具有取代铜成为下一代集成电路互连金属的前景而备受关注。本文研究了不同表面活性剂对电沉积钴析氢的影响,分别使用了阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠、阳
【机 构】
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电子科技大学材料与能源学院,珠海方正科技高密电子有限公司
【基金项目】
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广东省科技项目(No.2015B010127012和No.2016B090918095).
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低热膨胀系数的钴具有取代铜成为下一代集成电路互连金属的前景而备受关注。本文研究了不同表面活性剂对电沉积钴析氢的影响,分别使用了阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠、阳离子表面活性剂三乙醇胺和非离子表面活性剂聚乙二醇、N-甲基吡咯烷酮、聚乙烯吡咯烷酮。通过霍尔槽电镀实验及电化学测试方法分析了不同表面活性剂对电沉积钴的影响,并探究了表面活性剂对镀层质量的影响。使用金相显微镜和扫描电子显微镜观察镀层,通过接触角测试仪探究不同表面活性剂对镀层的润湿性。对比实验表明,表面活性剂能够抑制析氢并可有效改善电沉积钴镀层质量。
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