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给出了ＧａＮ晶体的制备方法和特性，详细介绍了ＧａＮ外延生长技术及ｐ－ＧａＮ掺杂的热退火技术。
光电子新材料GaN研究进展
【摘 要】
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给出了ＧａＮ晶体的制备方法和特性，详细介绍了ＧａＮ外延生长技术及ｐ－ＧａＮ掺杂的热退火技术。
【机 构】
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电子工业部第四十六研究所
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1997年4期
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