【摘 要】
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采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO：Al透明导电薄膜,研究生长温度和退火气氛对薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。结果表明：不同温度下生长的ZnO：Al薄膜均为高度c轴取
【基金项目】
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教育部博士点基金资助项目（200805331121）, 湖南自然科学基金资助项目（09JJ3110）
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采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备ZnO：Al透明导电薄膜,研究生长温度和退火气氛对薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。结果表明：不同温度下生长的ZnO：Al薄膜均为高度c轴取向的六角铅锌矿结构,400~900 nm波长范围内薄膜的平均透过率均超过85%。ZnO：Al薄膜的电学性能强烈依赖于生长温度,室温~500℃范围内,500℃下生长的薄膜具有最大的载流子浓度（2.294×1021 cm-3）和最低电阻率（4.095×10-4-.cm）。退火气氛对薄膜的性能影响显著,经过不同气氛退
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