【摘 要】
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有多种探测器材料(光伏型碲镉汞、硅化铂、锑化铟、光电导非本征硅、硫化铅和硒化铅)可用于制作第二代红外传感器。本文评述红外探测器的发展背景,概述目前样机产品中所采用
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有多种探测器材料(光伏型碲镉汞、硅化铂、锑化铟、光电导非本征硅、硫化铅和硒化铅)可用于制作第二代红外传感器。本文评述红外探测器的发展背景,概述目前样机产品中所采用的红外探测器规格和结构,还给出各种探测器材料的光谱响应范围、温度及其它性能参数。
A variety of detector materials (PVC Hg, platinum silicide, indium antimonide, photoconductive extrinsic silicon, lead sulfide and lead selenide) can be used to make second-generation infrared sensors. This paper reviews the background of the development of infrared detectors, summarizes the specifications and structures of the infrared detectors used in current prototype products, and also gives the spectral response range, temperature and other performance parameters of various detector materials.
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