【摘 要】
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采用低压MOCVD方法,在（0001）Al2O3衬底上沉积了ZnO薄膜。研究了Ⅵ族源O2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响。增加O2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高
【机 构】
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吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室,吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室,吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室,吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点
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采用低压MOCVD方法,在（0001）Al2O3衬底上沉积了ZnO薄膜。研究了Ⅵ族源O2气流量的变化对薄膜结构、表面形貌及光致发光特性的影响。增加O2气流量,ZnO薄膜结晶质量有所降低,半高宽从0.20°展宽至0.30°,由单一c轴取向变成无取向薄膜。同时,生成的柱状晶粒平均尺寸减少,晶粒更加均匀,均方根粗糙度减小。PL谱分析表明:随O2气流量加大,带边峰明显增强,深能级峰明显减弱,ZnO薄膜光学质量提高。这些事实说明:在本实验条件下,采用低压MOCVD方法生长的ZnO薄膜在光致发光特性主要依赖于Zn、O组份配比,而不是薄膜的微观结构质量。
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