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采用对靶磁控反应溅射技术以H2和N2为反应气体在不同氢气流量（15-25Sccm）条件下制备了氢化非晶氮化硅（a-SiN：H）薄膜，并利用傅立叶红外透射光谱（FTIR）和紫外一可见透射光谱（UV-VIS）对薄膜的键合结构和光学吸收特性进行了分析。结果表明，氢气流量20Sccm时薄膜中氢的键密度最大，薄膜无序度最减小；薄膜的光学带隙Eg和E04逐渐增大。薄膜原子间键合结构和薄膜有序性的变化可归因于反应溅射过程中氢气的钝化和刻蚀作用。