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针对正温度系数热敏电阻（PTCR）片式化技术对陶瓷晶粒尺寸提出的较高要求，利用固相法制备PTCR，结合提高施受主掺杂比（n（Y：Mn）〉21效果明显），高温预烧（1220℃），低温烧结（1300℃）等方法抑制晶粒长大；制备出平均晶粒尺寸小于2μm，室温电阻率为205Ω·cm，升阻比为4．082×10^4的BaTiO3基多层片式细晶PTC陶瓷，使多层片式PTCR产业化成为现实．