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建立了电荷耦合器件（CCD）纵向抗晕结构模型，运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI，对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算，并详细分析和讨论了衬底反偏电压、1PW层硼掺杂浓度、n型沟道磷掺杂浓度和TG转移栅下P杂质掺杂浓度等参数对CCD纵向抗晕能力的影响，得到了CCD纵向抗晕结构的一种优化结构。