【摘 要】
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Si衬底上生长GaAs器件一直受到人们的重视,但过去si上生长GaAs光探测器的性能并不理想。1991年12月《Electronics Letters》报道了美国佛罗里达大学和德克萨斯仪器公司研制的
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Si衬底上生长GaAs器件一直受到人们的重视,但过去si上生长GaAs光探测器的性能并不理想。1991年12月《Electronics Letters》报道了美国佛罗里达大学和德克萨斯仪器公司研制的性能优良的平面肖特基势垒光探测器。 器件用分子束外延生长技术制造。先在P—Si(001)取向衬底上生长GaAs缓冲层,然后再
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