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ST宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。MDmesh V让新一代650V MOSFET将RDS（ON）降到0．079Ω以下，采用紧凑型功率封装，使能效和功率都达到业内领先水平。这些产品的目标应用是以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统。