GaN基垂直腔面发射激光器的研制

• 作 者: 张保平 蔡丽娥 张江勇 李水清 尚景智 王笃祥 林峰 林科闯
• 机 构: 厦门大学物理与机电工程学院,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,厦门三安电子有限公司技术中心
• 出 处: 厦门大学学报：自然科学版
• 发表日期: 2008年5期
• 关键词: 宽禁带半导体 氮化镓 氮化物 半导体激光器 垂直腔面发射激光器 wide gap semiconductor GaN nitride Semicondu
• 基金项目: 科技部国家高科技研究发展计划（863计划）资助 致谢：感谢福建省,厦门市.厦门大学.中国科学院半导体研究所和厦门三安电子有限公司领导给予的大力支持.

作者在我国大陆首次实现了GaN基垂直腔面发射激光器（VCSEL）的激射．首先采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上进行高质量氮化物增益区的外延生长．然后在表面沉积高反射介质膜分布布拉格反射镜（DBR）．将样品键合到其它支撑片上后，采用激光剥离技术将蓝宝石衬底去除．再在去除蓝宝石后露出的氮化物表面沉积第二组介质膜DBR制成VCSEL．在室温光泵条件下，观察到VCSEL的激射．激射波长449．5nm。阈值6．5mJ／cm^2．激射峰的半高宽小于0．1nm，这些指标达到了国际领先水平．本文为