一种低压I^2 PTAT曲率校正CMOS带隙基准源的设计

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基于Chrt 0.35μm CMOS工艺,采用一级温度补偿电压作为温度曲率校正电压,设计了一个类似I^2 PTAT电流产生电路,获得了一个电路结构简单,性能更佳的带隙基准源。经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10—110范围内,平均温度系数约6ppm/℃,最低工作电压为1V左右,获得了一个高性能的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。
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