辅酶I在钴／玻碳离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用研究

• 作 者: 马晓梅 胡劲波 尚军 李启隆
• 机 构: 北京师范大学化学系
• 出 处: 分析化学
• 发表日期: 2004年8期
• 关键词: 辅酶I 钴/玻碳 离子注入 修饰电极 电化学行为 coenzyme I ion implantation modified electrode elect

辅酶I(NAD)在0.005 mol/L Tris-0.01 mol/L NaCl (pH=7.0)缓冲溶液中,在Co/GC离子注入电极上有一良好的伏安还原峰,峰电位Ep=-1.07 V(vs.SCE).其峰电流与辅酶I (NAD)的浓度在5.0×10-5～1.0×l0-3 mol/L范围内呈线性关系;检出限为2.5×10-5 mol/L;回收率在98.8%～101.9%之间.用线性扫描和循环伏安法等方法研究该体系的电化学行为,实验表明:该体系具有吸附性和催化性的不可逆过程.