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Micron宣布开始提供其第三代低延时DRAM初期工程（RLDRAM3内存）样品。第三代低延时DRAM内存是一种高带宽的内存技术,支持网络信息的高效传输。它专门为高性能网络应用程序量身定做,可支持需要连续读写作业或完全随机存取的高端路由器及交换机,因此对40千兆和100千兆以太网（GbE）,包缓冲、检测和查找表作业而言都是最理想的选择。