【摘 要】
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蒸镀在Ge单晶(111)面上的Au/Ga膜,在氢气氛中,分别在200℃,260℃,310℃,360℃和450℃下加热。用SEM观察发现1000(?)左右的Ga膜可以抑制Au/Ga膜的缩聚。而具有200A左右Ga的Au/
【机 构】
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中国科学技术大学,中国科学技术大学,中国科学技术大学,中国科学技术大学,
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蒸镀在Ge单晶(111)面上的Au/Ga膜,在氢气氛中,分别在200℃,260℃,310℃,360℃和450℃下加热。用SEM观察发现1000(?)左右的Ga膜可以抑制Au/Ga膜的缩聚。而具有200A左右Ga的Au/Ga膜在450℃加热时形成Au-Ga-Ge三元液态共晶。Ge单晶被液态共晶浸蚀,並且合金膜发生缩聚。
The Au / Ga film deposited on the Ge single crystal (111) surface was heated at 200 ° C, 260 ° C, 310 ° C, 360 ° C and 450 ° C, respectively, in a hydrogen atmosphere. It was found by SEM observation that a Ga film of about 1000 (?) Suppresses the polycondensation of the Au / Ga film. Au-Ga-Ge ternary liquid eutectic was formed when the Au / Ga film with Ga of about 200A was heated at 450 ° C. The Ge single crystal is eroded by the liquid eutectic, and the alloy film undergoes polycondensation.
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