【摘 要】
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本文讨论了与 CCD设计有关的某些参数的计算问题。选用了 N 沟二相多晶硅交迭栅结构及采用浮置扩散放大器作为信号输出方式,研制成1×128位线阵及32×32面阵帧转移电荷耦合摄
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本文讨论了与 CCD设计有关的某些参数的计算问题。选用了 N 沟二相多晶硅交迭栅结构及采用浮置扩散放大器作为信号输出方式,研制成1×128位线阵及32×32面阵帧转移电荷耦合摄象器件,并获得了一些实验结果。
This article discusses the calculation of some parameters related to CCD design. The structure of N-channel poly-silicon overlapped gate and floating diffusion amplifier were chosen as the signal output mode to develop 1 × 128-bit line array and 32 × 32 area-array frame-transfer CCD camera. Some experimental results were obtained .
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