【摘 要】
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近十年来,随着半导体工艺的发展,以Ⅲ—Ⅴ族化合物为材料的半导体器件的种类与品种日益增多,实践证明器件的迁移率、电阻率受到所含杂质的影响,尤其是受含微量硫危害更大。
【机 构】
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峨眉半导体材料研究所,峨眉半导体材料研究所,
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近十年来,随着半导体工艺的发展,以Ⅲ—Ⅴ族化合物为材料的半导体器件的种类与品种日益增多,实践证明器件的迁移率、电阻率受到所含杂质的影响,尤其是受含微量硫危害更大。器件的性能不仅与其工艺条件有关,很大程度还取决于基础材料如高纯
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