掺杂AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应研究

• 作 者: 李诚瞻 刘键 刘新宇 刘果果 庞磊 陈晓娟 刘丹 姚小江 和
• 机 构: 中国科学院微电子研究所中国科学院微电子研究所北京
• 出 处: 电子器件
• 发表日期: 2007年5期
• 关键词: GAN HEMT 电流崩塌效应 掺杂 GaN HEMT current collapse effect doped structure
• 基金项目: 国家重点基础研究发展计划资助项目(2002CB311903),, 中国科学院重点创新资助项目(KGCX2-SW-107)

对不同掺杂浓度AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究掺杂AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应.实验表明,掺杂AlGaN势垒层对器件电流崩塌效应有明显的抑制作用,随着掺杂浓度增加,掺杂对电流崩塌效应的抑制作用越显著.这是因为对于掺杂AlGaN/GaN HEMT,表面态俘获电子将耗尽掺杂AlGaN层,从而能对2DEG起屏蔽作用.AlGaN体内杂质电离后留下正电荷也能进一步屏蔽表面态对沟道2DEG的影响.