【摘 要】
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要求低阻栅材料是使VLSI电路性能受到限制的因素之一。在MOSFET技术中,金属硅化物或多晶硅化物用来代替掺杂多晶硅作栅材料。作为栅材料使用的多晶硅化物,在腐蚀剖面和选择性
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要求低阻栅材料是使VLSI电路性能受到限制的因素之一。在MOSFET技术中,金属硅化物或多晶硅化物用来代替掺杂多晶硅作栅材料。作为栅材料使用的多晶硅化物,在腐蚀剖面和选择性方面对腐蚀工艺提出了新要求。我们采用氟化等离子体和氯化等离子体对与耐熔金属一起形成的多晶硅化物进行等离子腐蚀。本文就使用一个可变二极管反应器对多晶硅化物进行的定向腐蚀和选择性腐蚀进行了讨论。并根据我们的观察,从工艺的角度对耐熔金属多晶硅化物的腐蚀条件进行了讨论。
Requiring a low-resistance gate material is one of the factors that limit the performance of a VLSI circuit. In MOSFET technology, metal silicide or polycide is used instead of doped polysilicon as the gate material. Polycide used as a gate material places new demands on the etching process in terms of etch profile and selectivity. We use a fluorinated plasma and a chlorinated plasma to plasma etch the polycide formed with the refractory metal. In this paper, the use of a variable diode reactor for polycide directional corrosion and selective corrosion are discussed. Based on our observations, the corrosion conditions of refractory metal polycide are discussed from a process point of view.
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