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采用Ｓｏｌ－ｇｅｌ制得了ＰＴＣＲ纳米晶粉体，借助热分析技术研究了烧结过程中的热行为，并以此热分析数据为依据，拟定了烧结工艺。在此工艺条件下获得的ＰＴＣＲ陶瓷材料的电性能比前文有较大幅度提高，其室温电阻率（ρ室）约为２０Ω·ｃｍ，电阻－温度系数（αｒ）达２０％／℃，耐电压强度（Ｖｂ）大于１６０Ｖ／ｍｍ。