原位电阻测试分析Mg(BH4)2制备MgB2的成相过程

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Mg(BH4)2作为优质的储氢材料,在约300℃开始分解释放H2,并最终生成MgB2.由于Mg(BH4)2的释氢反应可以在较低的温度下获得MgB2,使其成为了制备MgB2超导材料的一种有效途径.本文采用了原位电阻法,通过测量Mg(BH4)2分解过程中电阻温度曲线,详细地研究了Mg(BH
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为寻找核态可能存在的三轴形变,用对力-形变-转动频率自洽推转壳模型对锗和硒同位素进行了总转动能面计算.计算是在四极形变(β_2,γ)网格中进行的,且十六极形变β_4可变.在锗同位素中发现了由64Ge的三轴、66Ge的扁椭、再经三轴、向长椭形变的形状相变.一般来说Ge和Se同位素具有γ软性形状,导致了显著的动力学三轴效应,计算中没有证据表明存在基态下的刚性三轴性.在64,74Ge中发现基态和集体转动态下γ=-30°的三轴形变,这是三轴形变的极限.本文重点讨论N=Z
采用改进型化学气相沉积法结合稀土螯合物掺杂制备了系列掺镱光纤预制棒及光纤,并测试了光纤(预制棒)辐照、退火前后的光学性能.结果表明:中子辐照后掺镱光纤材料中与Al相关的缺陷浓度增多,导致光纤材料在可见光区域吸收损耗增加.Ce离子的掺杂可缓减铝氧空位中心(Al-OHC)等色心缺陷的增加,从而有效抑制掺镱光纤的辐致暗化效应.热退火可降低中子辐致色心缺陷的浓度从而降低光纤材料的吸收,在一定程度上消除暗化效应.
In this paper,we introduce the Δh-Gould-Hopper Appell polynomials An(x,y;h)via h-Gould-Hopper polynomials Ghn(x,y).These polynomials reduces to Δh-Appell poly-nomials in the case y =0,Δ-Appell polynomials in the case y =0 and h =1,2D-Appell polynomials in
变分迭代法是一种基于变分原理,具有高数值精度的数值格式,目前已广泛应用于各类强非线性孤立波方程的数值求解中.本文利用修正的变分迭代法对两类非线性方程进行研究.该格式是对原数值方法的一种改进,即在变分项前引入了参数h.通过定义误差函数的离散二范数并在定义域内绘出h-曲线,从而确定出使误差达到最小的h,再返回原迭代过程进行求解.同时,参数的引入也扩大了原数值解的收敛域,在迭代次数一定的情况下达到了数值最优.在数值实验中,将上述结果应用于四阶的Cahn-Hilliard方程和BenjaminBona-Mahon
现有以散射为主的宇宙线缪子成像难以从高原子序数材料中有效区分特殊核材料,利用缪子在特殊核材料中产生的次级诱发中子标记入射缪子,可从高原子序数材料中辨别特殊核材料,但其成像时间长且成像质量较低.缪子多模态成像利用缪子穿透材料的散射信息以及被材料阻止时产生次级诱发中子的缪子信息,可有效解决单一成像方法的不足.基于GEANT4程序设置探测模型,以Cosmic-ray Shower Library为缪子源,开发了与诱发中子符合的缪子成像、缪子散射成像、缪子多模态成像模拟程序,并在模拟数据的基础上分别实现了成像算法
本文设计了一种非对称结构的类电磁诱导透明超材料结构,利用时域有限差分方法对其光学特性和类EIT效应进行了仿真分析,建立了其耦合洛伦兹模型,并对所设计超材料结构的类EIT效应进行了模拟分析.结果表明:利用两个长短不同的硅块明模和明模之间的耦合,在1555 nm附近实现了类电磁诱导透明效应;通过对该超材料的微结构参数进行优化,实现了超高Q值(Q约为8616)的类EIT效应,透射率可达96%;通过调节硅块的长度以破坏超材料结构的非对称性,实现了对类电磁诱导透明窗口的主动调控.所设计的全介质超材料结构具有低损耗、
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报道了1.5—20 keV/q的高电荷态Oq+(q=3—7)离子与Al表面相互作用发射的O原子的特征X射线谱.分析表明,对于Oq+(q=3—6)离子入射时发射的X射线,是由于离子进入表面后与Al原子发生紧密碰撞导致的;而O7+离子入射时的X射线,主要来自于“空心原子”的衰变.在动能相等的条件下,存在K壳层空穴的O7+离子的X射线产额相较于Oq+(q=3—6)离子高一个数量级,不存在K壳层空穴的O6+离子的X射线产额也要高于O3+O5+,离子.总体来说,X射线产额以及电离截面与入射离子的初始电子组态有关,且