【摘 要】
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制作了基于InP基量子级联激光器的一维光子晶体.采用普通光学曝光的方法代替电子束曝光,结合反应耦合等离子刻蚀,在激光器的一侧腔面制作出4个周期的空气/半导体对作为Bragg
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,中国科学
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制作了基于InP基量子级联激光器的一维光子晶体.采用普通光学曝光的方法代替电子束曝光,结合反应耦合等离子刻蚀,在激光器的一侧腔面制作出4个周期的空气/半导体对作为Bragg反射器.对于一个22μm宽,2mm长的正焊器件,80K下的光谱测试证实了其准连续激射,激射波长为5.36μm.
A one-dimensional photonic crystal based on InP-based quantum cascade lasers was fabricated.Using ordinary optical exposure instead of electron beam exposure and combined with reactive coupled-coupled plasma etching, four cycles of air / semiconductor pairs were fabricated on the cavity side of the laser As a Bragg reflector.For a 22μm wide, 2mm long positive-bonded device, spectral testing at 80K confirmed its quasi-continuous lasing with a lasing wavelength of 5.36μm.
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