Si（113）表面电子结构的研究

• 作 者: 张瑞勤 吴汲安
• 机 构: ShandongUniv
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 1989年9期
• 关键词: 硅 表面悬键态 电子结构 Si High-Miller-index surface Dangling-bond surface states Densit
• 基金项目: 国家自然科学基金

采用Si_(16)H_(21)和Si_(31)H_(39)原子集团分别模拟Si(113)和Si(111)表面;通过半经验自洽CNDO法计算了两个体系的电子结构.结果表明,Si(113)具有与Si(111)不同的表面态特征.Si(113)表面台阶和台面原子上电荷重新分布,与悬键相关的表面电子态都强烈地定域在表面Si原子上,尤其局域在悬键方向上,并且具有比(111)面上更高的悬健态密度.理论计算结果能解释以前的光电子谱实验.