【摘 要】
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本文报导了在GaAs、AlGaAs表面上用高频溅射法制备SiO_2膜的淀积规律,特别对用SiO_2膜掩蔽GaAs、AlGaAs/GaAs中的Zn扩散进行了实验研究,结果证明用高频溅射制备SiO_2膜可以有
【机 构】
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清华大学无线电系,清华大学无线电系,清华大学无线电系,清华大学无线电系
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本文报导了在GaAs、AlGaAs表面上用高频溅射法制备SiO_2膜的淀积规律,特别对用SiO_2膜掩蔽GaAs、AlGaAs/GaAs中的Zn扩散进行了实验研究,结果证明用高频溅射制备SiO_2膜可以有效地掩蔽GaAs,AlGaAs/GaAs中的Zn扩散。
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