论文部分内容阅读
本文采用了以面为衍射基面，直接测量水平弛豫的方法测量了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ（衬底为ＧａＡｓ，ｘ￣０．１）外延层的应变及其弛豫状态。在以理解面为衍射基面的衍射曲线上清楚地观测到了衬底峰与外延峰的分裂，表明当ＩｎＧａＡｓ层厚度较厚时，ＩｎＧａＡｓ外延层与衬底ＧａＡｓ已处于非共格生长状态，同时发现大失配的ＩｎＧａＡｓ晶胞并没有完全弛豫恢复到自由状态，其平行于表面法线的晶格参数略大于垂直方向上的晶格参数，