Bi过量对BiFeO3薄膜禁带宽度及光伏性能的影响

来源 :化工新型材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:baliver110
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通过溶胶-凝胶法在掺氟的氧化锡(FTO)衬底上生长了前驱体溶液中Bi过量不同摩尔分数的铁酸铋(BiFeO3)多晶薄膜。利用X射线衍射仪(XRD),原子力显微镜(AFM),紫外-可见(UV-Vis)漫反射及光伏性能等测试手段进行表征,讨论了Bi过量对于BiFeO3薄膜晶粒尺寸、光学带隙及光伏性能的影响。结果表明:样品的晶粒尺寸随着Bi含量的增加先减小后增大。当Bi过量10%(摩尔分数,下同)时,BiFeO3薄膜的禁带宽度最小(Eg=2.31eV)。光伏性能研究表明,当Bi过量6%时,薄膜具有最大的开路电压值(Voc=0.31V)。 The bismuth ferrite (BiFeO3) polycrystalline thin films with excess Bi in the precursor solution were grown on the fluorine-doped tin oxide (FTO) substrate by sol-gel method. The properties of BiFeO3 thin films, such as grain size, optical band gap and photovoltaic (PV), were characterized by means of X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy (AFM), UV-Vis diffuse reflectance and photovoltaic properties. The impact of performance. The results show that the grain size of the sample first decreases and then increases with the increase of Bi content. When the Bi excess 10% (molar fraction, the same below), the BiFeO3 thin film bandgap minimum (Eg = 2.31eV). Photovoltaic performance studies show that the film has the largest open circuit voltage (Voc = 0.31V) when Bi is excessively 6%.
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