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耶鲁大学的T．P．Ma教授提出了一种全n沟道的CMOS，它比现在的以电子和空穴为载流子的CMOS速度更快、更容易制造。T．P．Ma称它为单极CMOS，并在2008年10月由Semathech组织的先进栅叠层技术国际会议上做了首次介绍。
单极CMOS，速度更快、更易制造
【摘 要】
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耶鲁大学的T．P．Ma教授提出了一种全n沟道的CMOS，它比现在的以电子和空穴为载流子的CMOS速度更快、更容易制造。T．P．Ma称它为单极CMOS，并在2008年10月由Semathech组织的先进栅叠层技
【机 构】
：
NewsEditor
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2009年1期
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