Ta,Ta/CU缓冲层对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响

• 作 者: 李明华 于广华 姜宏伟 蔡建旺 朱逢吾
• 机 构: 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京,100080北京科技大学材料物理系,北京,100083;北京科技大学材料物理系,北京,100083;首都师范大学物理系,北京,100037;中国科学院物理
• 出 处: 物理学报
• 发表日期: 2001年11期
• 关键词: MFe/FeMn 交换偏置场 织构 表面粗糙度

采用磁控溅射方法制备了分别以Ta和Ta/Cu作为缓冲层的一系列NiFe/FeMn双层膜.实验发现,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn 双层膜的交换偏置场比以Ta/Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场大.测量了这两种双层膜的织构、表面粗糙度和表面成分.结果表明,以Ta/Cu为缓冲层时,Cu在NiFe层的上表面偏聚是造成NiFe/FeMn双层膜交换偏置场降低的重要原因.