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ZnO是一种非常重要的制备紫兰光器件的宽禁带半导体新材料,ZnO的P型掺杂是ZnO光电器件应用的关键技术和基础.浙江大学硅材料国家重点实验室叶志镇课题组在973计划项目“信息功能材料相关基础问题”的课题“宽带隙异质结构材料生长及电学、光学特性裁剪”和国家自然科学基金重点项目的支持下在ZnO P型掺杂方面进行了系统深入研究并取得重大突破.