二维短沟道SOI-MOSFET器件的阈值电压

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本文提出了一种正确的直稳态二维短沟道SOI-MOSFET器件的数值模型。所选用的基本方程是:泊松方程,两种载流子的电流连续性方程和电流密度方程。这个模型从SOI器件的特殊结构出发,着重考虑了复合-产生率对器件内部参数的影响以及阈值电压随器件不同条件的变化关系。
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