TiNx／SiO2／Ag／SiO2低辐射膜耐H2S气体的腐蚀性能

• 作 者: 黄佳木 郝晓培 鞠明祥
• 机 构: 重庆大学材料科学与工程学院
• 出 处: 材料保护
• 发表日期: 2011年6期
• 关键词: 低辐射膜 TiNx/SiO2/Ag/SiO2 磁控溅射 耐腐蚀 H2S气体 low-emission film TiNx/SiO2/Ag/SiO2 magnet

为了提高玻璃片上Sio2／Ag／Sio2复合膜的耐腐蚀性能，用磁控溅射法在其上制备了TiNx薄膜。采用X射线衍射（XRD）、扫描隧道显微镜（STM）研究了TiNx薄膜的结构及表面形貌；参照GB／T5137．3—2002电子产品硫化氢腐蚀的检验方法研究了TiNx／SiO2／Ag／SiO2低辐射膜耐H2S气体的腐蚀性能。结果表明：TiNx／SiO2／Ag／SiO2低辐射膜中，TiN，薄膜为较致密的非晶态结构，其厚度达到10nm以上才能对Ag膜起到很好的保护作用；低辐射膜腐蚀前后的平均透过率变化不到5％；低辐射