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采用脉冲激光沉积技术（PLD）在单晶Si衬底上制备了Ni掺杂的ZnO薄膜，通过VARAINCary-Eclips500型荧光光谱仪研究了样品的荧光特性。观察到360和380nm左右2个荧光峰。通过Ni掺杂，研究了360nm左右荧光峰的起源。结果表明，随着靶材中Ni掺杂量的不同，荧光峰峰位不变，而相应的发光强度发生了明显的变化。当靶材中Ni：ZnO的摩尔比Xs为5％时，样品中360nm紫外荧光峰的发光强度最佳，表明360nm左右荧光峰并不是重掺杂后杂质能级深入到导带的结果，有可能是起源于分裂的价带与导带间的