【摘 要】
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使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品.在连续的富锌气氛环境中生长的样品,由于存在大量的施主缺陷,呈现n型电导.为了抑制施主缺陷带来的补偿效
【机 构】
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发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院大学,吉林大学物理学院
【基金项目】
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国家“973”计划;国家自然科学基金
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使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品.在连续的富锌气氛环境中生长的样品,由于存在大量的施主缺陷,呈现n型电导.为了抑制施主缺陷带来的补偿效应,在生长过程中,通过周期性补充氧气,形成周期性的富氧气氛,缓解了氮掺杂浓度和施主缺陷浓度之间的矛盾.光致发光测量表明,通过交替生长气氛,氧空位和锌间隙等缺陷在薄膜中得到了显著抑制.通过交替生长气氛生长的外延薄膜的结品质量也有所提高.样品显示出重复性较高的p型电导,载流子浓度可达到1016cm-3.周期性补氧调节生长气氛的生长方式是一种有效实现p型掺杂ZnO的方法.
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