Al0.85Ga0.15As／GaAs太阳能电池器件工艺优化研究

• 作 者: 陈晓杰 李爱珍
• 机 构: 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
• 出 处: 半导体光电
• 发表日期: 2000年5期
• 关键词: 太阳能电池 ALGAAS/GAAS 工艺优化 电子器件 solar cell device fabrication technology AlGs/Gs
• 基金项目: 8 63航天领域课题资助项目!(863- 2 - 4- 6- 2A)

报道了优化的ｐ－ｎ型Ａｌ０．８５Ｇａ０．１５Ａｓ／ＧａＡｓ太阳能电池器件工艺。分别采用真空蒸发Ｃｒ／Ａｕ和ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ制作下面栅线和背面电极，并分别在４５０℃和３５０℃下快速合金化形成欧姆接触。采用ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ３ＰＯ４：Ｈ２Ｏ体系的选择性腐蚀液去除高掺杂的ＧａＡｓ接触层。采用真空蒸发技术制备ＺｎＳ／ＭｇＦ２双层复合减反射层。测试结果表明，采用优化工艺制备的器件的光电转换效率得到了