【摘 要】
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当激发光能量小于GaAs势垒带边能量时，在InAs量子点结构中，清楚地观察到与InAs浸润层有关的发光峰．研究表明，此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光，局域化能量为12meV，发光具
【机 构】
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当激发光能量小于GaAs势垒带边能量时，在InAs量子点结构中，清楚地观察到与InAs浸润层有关的发光峰．研究表明，此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光，局域化能量为12meV，发光具有二维特性．在相同的生长条件下，此发光峰位置与InAs层的厚度基本无关．这些结果有助于进一步深入研究浸润层的形貌和光学性质．
When the energy of the excitation light is smaller than that of the GaAs barrier, the luminescence peak associated with the InAs wetting layer is clearly observed in the InAs quantum dot structure. The results show that this luminescence peak mainly originates from the localized exciton emission in the infiltrating layer. The localized energy is 12 meV and the luminescence has two-dimensional characteristics. Under the same growth conditions, the luminescence peak position is not related to the thickness of InAs layer. These results help to further study the wetting layer morphology and optical properties.
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