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采用射频磁控溅射技术在Si（100）基底和Pt／Ti／SiO2／Si（100）基底上生长了掺镧钛酸铅[（Pb0.9，La0.1）TiO3，PLT]铁电薄膜。用X射线衍射技术（XRD）研究了PLT10薄膜结晶性能。使用光刻工艺在Si（100）基底的PLT10薄膜上制备了叉指电极，测试了PLT10薄膜的介电性能。在室温下，测试频率为1kHz时，PLT10薄膜的介电常数为386。而采用相同工艺条件制备的具有平行电极结构的PLT10薄膜，其介电常数为365。但利用叉指电极测试的PLT10薄膜的介电常数和介电损耗随