从全量子理论看在半导体中实现无反转增益的一个可能方案

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从全量子理论出发,比较深入地分析了在Ⅱ类半导体量子阱中实现无反转增益过程的物理机制,量子阱层导带Γ-能谷和势垒层导带X-能谷混合形成的量子相干法诺态的能谱结构,及其对光吸收几率的法诺量子干涉效应,法诺态的能谱结构和真空场量子起伏引起的自发辐射对受激光增益过程的影响,为利用这种机理制成半导体量子阱无反转激光器提供理论依据。 Based on the theory of total quantum theory, the physical mechanism of non-inverting gain process in the semiconductor quantum well of type II is analyzed in more depth. The energy gap between the Γ-energy valley of the quantum well layer and the X-energy valley of the barrier layer The energy structure of the quantum coherent Farinar state, its quantum interference effect on the light absorption probability, the energy structure of the Fano state and the spontaneous emission caused by quantum fluctuations in the vacuum field, The mechanism to make a semiconductor quantum well non-inverted laser provides a theoretical basis.
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