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【摘 要】
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采用分子束外延方法研究了高应变InGaAs/GaAs量子阱的生产技术，将InGaAs/GaAs量子阱的室温光致发光波长拓展至1160nm，其光致发光峰半峰宽只有22meV,研制出1120nm室温连续工作的
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成电子国家重点实验室,中国科学院半导体研究所集成电子国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年9期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 36 6 0 3),,国家自然科学基金 (批准号 :6 9896 2 6 0 ,6 99880 0 5 ,6 9976 0 0 7)资助项目~~
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