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目的：观察磁刺激对大鼠缺氧缺糖神经元形态及 Robo2、RhoA 表达的影响，探讨磁刺激对缺氧缺糖神经元轴突再生的影响及可能机制。方法原代培养皮质神经元，分为正常组（control，C）、缺氧缺糖（oxygen/glucose deprivation，OGD）组、假刺激（shame，S）＋缺氧缺糖组、40%最大输出强度（40%of maximum intensity of stimulation，M1）＋缺氧缺糖组、60%最大输出强度（60%of maximum intensity of stimulation，M2）＋缺氧缺糖组。各刺激组自细胞接种后第2～6天接受磁刺激，连续刺激5 d；各组细胞于第6天相同时间取材。采用倒置显微镜每日定时观察各组细胞生长形态，RT-PCR检测各组细胞Robo2、RhoA mRNA 的表达。结果缺氧缺糖损伤后，神经元突起较正常组细胞渐渐缩短，细胞折光性下降，而Robo2、RhoA mRNA的表达高于正常组（P＜0.05）；40%、60%强度组较OGD组大部分细胞突起长出，部分突起连接形成神经网络，而Robo2 mRNA的表达高于OGD组（P＜0.05）、RhoA mRNA的表达低于OGD组（P＜0.05）。结论磁刺激通过抑制受损神经元RhoA mRNA的表达，上调Robo2 mRNA的表达，而促进受损神经元轴突再生，可能是磁刺激促进受损神经元轴突再生的机制之一。