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研究了不同热处理温度和不同测试温度下,纳米CeO2基薄膜的电性能.结果表明,纳米CeO2基薄膜在热处理温度为600℃和900℃时,其伏安特性曲线近似为线性特征;在热处理温度为700℃和800℃时,其伏安特性曲线中存在VCNR现象.结合纳米CeO2基薄膜的XRD图,对纳米CeO2基薄膜的电性能进行了理论分析和讨论.