8GHz带有RC稳定网络的AlGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计

• 作 者: 曾轩 陈晓娟 刘果果 袁婷婷 陈中子 张辉 王亮 李诚瞻 庞
• 机 构: 中国科学院微电子研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2008年8期
• 关键词: ALGAN/GAN HEMTS 内匹配 功率合成 微波功率放大器 AlGaN/GaN HEMTs internally match power combin

设计了工作在8GHz的基于AlGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高整个电路的稳定因子K,在电路输入端增加了片上RC有损网络.在8GHz测出连续波1dB压缩点时的输出功率为P1dB=43dBm（20W）,线性增益7.3dB,最大PAE为38.1%,合成效率达到70.6%.