GaN气相外延生长的热、动力学和机理(1)

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应用扩散控制一附面层理论模型对Ga-HCl-NH3-Ar开营气流系统进行了化学平衡分析,结果指出GaN的理论淀积速率及其与反应参数的关系与大部分文献结果基本吻合,表明这一模型反映了该淀积系统的主导特征。有的文献数据不能用这一理论分析解释,意味着体系处于非扩散控制状况,动力学因素起着某种关键作用,有待进行深入的动力学研究和机理探讨。
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