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采用金属有机化学汽相沉积（MOCVD）的方法生长出高质量的InGaN合金薄膜，并对InGaN合金薄膜的光电性能进行高能粒子辐照损伤测试，用室温下的光致发光对InGaN合金薄膜的少数载流子寿命进行间接测量，结果显示，高In组分InGaN合金薄膜具有很好的晶体结构质量，其位错密度均没有超过5×10^10cm。在辐照损伤强度超过常用太阳能电池材料GaAs和GaInP损伤强度极限2个数量级以上时，InGaN合金仍然具有良好的光电性能，说明InGaN合金是非常适合制作抗超高辐照强度的太阳能电池材料。研究分