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利用原位红外光谱技术，研究了噻吩在硫化态的负载型和分散型Mo催化剂表面的吸附行为。结果表明，在室温下，噻吩在硫化态Mo催化剂表面可发生微弱的化学吸附，在较高的真空度下脱附；噻吩主要以η^1（S）配位形式吸附在硫化态Mo催化剂表面类似于MoS2结构边角的配位不饱和的Mo^δ＋位上，硫原子与硫化态Mo催化剂上配位不饱和的Mo中心相互作用，降低了噻吩环的芳香性，从而增加了C=C电子云的密度，使C=C键增强、C=S键减弱，有助于加氢脱硫反应的进行。