N2掺杂p型ZnO及ZnO同质p-n结LED的制备

• 作 者: 张振中 魏志鹏 吕有明 矫淑杰 姚斌 申德振 张
• 机 构: 中国科学院激发态物理重点实验室; 中国科学院激发态物理重点实验室 吉林长春130033; 吉林长春130033; 中国科学院研究生院; 北京100049
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: 氧化锌 发光二极管 N掺杂
• 基金项目: 国家自然科学重点基金(60336020,50532050);中;国科学院二期创新项目;国家自然科学基金(60429403,60506014,60376009,50402016,60501025)资助项目

采用射频等离子体辅助分子束外延方法,以N2作为掺杂源,以O2作为辅助分解的气体和氧源,通过等离子体光谱的实时监测来控制掺杂源中各组分的含量,制备了p型ZnO薄膜及同质p-n结。I-V曲线显示该p-n结具有整流特性,直流驱动下获得了稳定的室温电致发光,包括位于420nm附近的发光峰和500~700nm的发光带。